[发明专利]氮化物器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110984217.0 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113690297B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡文必;刘胜厚;请求不公布姓名;卢益锋;孙希国;谷鹏 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/78;H01L21/336;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王思楠 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种氮化物器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该制备方法包括：提供外延结构；通过离子注入在外延结构上形成第一有源区、第二有源区和无源区；通过光刻工艺在第二有源区形成露出外延结构的介质层的第一窗口；通过第一窗口离子注入以在第二有源区内形成N型区；通过光刻工艺在第二有源区形成露出介质层的第二窗口；通过第二窗口在N型区内形成P型区，P型区和N型区串联形成PN结二极管结构；在第一有源区形成源极、栅极和漏极，在无源区形成源极焊盘、栅极焊盘和漏极焊盘；其中，PN结二极管结构的阳极与源极焊盘接触连接、阴极与栅极焊盘接触连接。该制备方法能够提高器件的栅极和源极之间的反向电压的耐受等级。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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