[发明专利]一种低介电常数碳化硅、高性能氮化硅陶瓷基板及其制备方法有效
| 申请号： | 202110971836.6 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113480319B | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 伍尚华;黄瑶;黄民忠 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/64 | 分类号： | C04B35/64;C04B35/584;C04B35/645;C04B35/622 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 李莹 |
| 地址： | 510000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低介电常数碳化硅、高性能氮化硅陶瓷基板及其制备方法，涉及氮化硅陶瓷制备技术领域。本发明提供的低介电常数碳化硅的制备方法，以碳化硅为主原料，辅以硼化合物，氮化硅及二氧化硅，通过真空热压烧结法制备，可以有效去除原料粉末(碳化硅、硼化合物等)中存在的其他金属杂质以降低它的介电常数并提高电阻；可以获得的1MHz下的介电常数低于20的低介电常数碳化硅。本发明提供的高性能氮化硅陶瓷基板的制备方法，以低介电常数碳化硅和/或稀土氧化物作为烧结助剂，其加入有助于降低烧结的温度，促进烧结致密；选用的烧结助剂可与氧杂质反应，净化晶格，有效提高热导率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 碳化硅 性能 氮化 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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