[发明专利]垂直晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202110962402.X | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN115910784A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 吴赛;黄仁瑞;方勇智;徐少辉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种垂直晶体管及其制作方法，所述制作方法包括：提供一基底，于所述基底中形成至少一沟槽；在所述沟槽的内表面上沉积衬垫层；于所述沟槽的底部形成填充物；选择性地去除邻接所述填充物的一区段的所述衬垫层以显露所述沟槽的侧壁的开口；基于所述开口刻蚀显露的所述沟槽的侧壁，以形成嵌入所述沟槽的侧壁中的凹槽。本发明还提供一种垂直晶体管，所述垂直晶体管包括：基底，所述基底中形成有至少一沟槽，所述沟槽的中部形成有嵌入所述沟槽侧壁的凹槽，所述凹槽中填充有栅极层；隔离结构，所述隔离结构将垂直晶体管分成至少两个间隔设置的垂直晶体管元胞。本发明提供的垂直晶体管能够有效提高集成电路的集成度和运行速度。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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