[发明专利]一种钽-二氧化硅溅射靶材的制备方法在审
| 申请号： | 202110944849.4 | 申请日： | 2021-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN113652656A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;李岢 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/14;B22F5/00;C22C29/12 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钽‑二氧化硅溅射靶材的制备方法，所述制备方法包括：(1)将钽粉和二氧化硅粉混合均匀；(2)将得到的混合粉末在1530～1570℃下进行热压烧结处理，得到钽‑二氧化硅溅射靶材粗品；(3)经机加工得到钽‑二氧化硅溅射靶材。所述制备方法包括混粉、热压烧结和机加工，尤其控制热压烧结的温度为1530～1570℃，不仅可以制备得到纯度≥99.9％、致密度≥98％的钽‑二氧化硅溅射靶材，且内部组织结构均匀，满足真空溅射的性能要求，还可以降低能耗和成本，具有流程较短、操作简单的优点，适合大规模推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 溅射 制备 方法 | ||
【主权项】：
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