[发明专利]存储器器件、存储器阵列及其形成方法在审
| 申请号： | 202110942687.0 | 申请日： | 2021-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN114079007A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 章纬;卓荣发;陈元文;陈学深 | 申请（专利权）人： | 格芯新加坡私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林莹莹;牛南辉 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种存储器器件、存储器阵列及其形成方法。可以提供一种存储器器件。该存储器器件可以包括衬底，其中衬底包括具有第一导电类型的阱。该存储器器件还可以包括：接触元件，其布置在阱中并且包括具有第一导电类型的第一接触；二极管层，其布置在阱中并且具有与第一导电类型相反的第二导电类型；以及虚设栅极，其被配置为将第一接触与二极管层隔离。该存储器器件还可以包括电连接到二极管层的存储器元件。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 阵列 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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