[发明专利]存储器器件、存储器阵列及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器器件，包括：

衬底，其中所述衬底包括具有第一导电类型的阱；

接触元件，其布置在所述阱中，其中所述接触元件包括具有所述第一导电类型的第一接触；

二极管层，其布置在所述阱中，其中所述二极管层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；

虚设栅极，其被配置为将所述第一接触与所述二极管层隔离；以及

存储器元件，其电连接到所述二极管层。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述阱的至少一部分和所述二极管层形成二极管。

3.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括：

沟道层，其具有所述第二导电类型，其中所述沟道层布置在所述阱中；以及

另外的二极管层，其布置在所述沟道层中，其中所述另外的二极管层具有所述第一导电类型并且被电连接到所述存储器元件，其中所述沟道层的至少一部分和所述另外的二极管层形成另外的二极管。

4.根据权利要求3所述的存储器器件，还包括：布置在所述衬底中的隔离元件和位于所述隔离元件下方的隔离阱，

其中所述隔离元件布置在所述二极管层与所述另外的二极管层之间，以及

其中所述隔离阱具有所述第二导电类型。

5.根据权利要求3所述的存储器器件，其中，所述接触元件还包括：

布置在所述沟道层中的第二接触，其中所述第二接触具有所述第二导电类型；以及

布置在所述阱中的第三接触，其中所述第三接触具有所述第一导电类型。

6.根据权利要求5所述的存储器器件，其中，所述虚设栅极被配置为将所述第二接触与所述另外的二极管层隔离。

7.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述虚设栅极包括栅极电介质层、布置在所述栅极电介质层上方的栅极层、以及围绕所述栅极电介质层和所述栅极层的绝缘间隔物。

8.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述接触元件电连接到第一信号线，并且其中所述存储器元件电连接到第二信号线。

9.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述存储器元件是电阻式存储器。

10.一种形成存储器器件的方法，所述方法包括：

提供衬底，其中所述衬底包括具有第一导电类型的阱；

在所述阱中形成接触元件，其中所述接触元件包括具有所述第一导电类型的第一接触；

在所述阱中形成二极管层，其中所述二极管层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；

形成虚设栅极以将所述第一接触与所述二极管层隔离；以及

将存储器元件电连接到所述二极管层。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述阱中形成沟道层，其中所述沟道层具有所述第二导电类型；

在所述沟道层中形成另外的二极管层并且将所述另外的二极管层电连接到所述存储器元件，其中所述另外的二极管层具有所述第一导电类型。

12.一种存储器阵列，包括：

衬底，其中所述衬底包括具有第一导电类型的阱；

多个列，其包括以矩阵形式布置的多个存储器基元，其中所述多个列包括第一列存储器基元和第二列存储器基元；其中每个存储器基元包括：

布置在所述阱中的二极管层，其中所述二极管层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；以及

电连接到所述二极管层的存储器元件；

接触元件列，其包括布置在所述阱中的接触元件，其中每个接触元件包括具有所述第一导电类型的第一接触；

虚设栅极，其被配置为将所述接触元件列与所述第一列存储器基元中的每个存储器基元中的所述二极管层隔离；以及

另外的虚设栅极，其被配置为将所述第一列存储器基元中的所述二极管层与所述第二列存储器基元中的所述二极管层隔离。