[发明专利]一种量子点器件的制作方法有效

专利信息
申请号: 202110941251.X 申请日: 2021-08-17
公开(公告)号: CN113745440B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 赵金阳 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 官建红
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请实施例公开了一种量子点器件的制作方法,利用第一电场驱动量子点材料运动并克服其间相互斥力而靠近,并发生碰撞,从而使其表面配体脱落。在量子点材料的表面配体脱落后,第二电场进一步驱动量子点颗粒运动并聚集到具有相反电性的电极上。由于受到垂直于电极表面的电场力作用,量子点颗粒在成膜过程中紧密堆积,进一步减少了量子点颗粒之间的空隙,从而得到了极高密度的量子点薄膜。量子点薄膜中配体缺失使得其无机成分更多且量子点间距变小,量子点薄膜的密度变大。因此量子点之间的载流子迁移速率会得到提高。将本申请实施例提供的量子点薄膜应用于量子点发光二极管中,将提高量子点发光二极管的发光效率和稳定性。
搜索关键词: 一种 量子 器件 制作方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110941251.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top