[发明专利]一种量子点器件的制作方法

说明书

本申请实施例公开了一种量子点器件的制作方法，利用第一电场驱动量子点材料运动并克服其间相互斥力而靠近，并发生碰撞，从而使其表面配体脱落。在量子点材料的表面配体脱落后，第二电场进一步驱动量子点颗粒运动并聚集到具有相反电性的电极上。由于受到垂直于电极表面的电场力作用，量子点颗粒在成膜过程中紧密堆积，进一步减少了量子点颗粒之间的空隙，从而得到了极高密度的量子点薄膜。量子点薄膜中配体缺失使得其无机成分更多且量子点间距变小，量子点薄膜的密度变大。因此量子点之间的载流子迁移速率会得到提高。将本申请实施例提供的量子点薄膜应用于量子点发光二极管中，将提高量子点发光二极管的发光效率和稳定性。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种量子点器件的制作方法。

背景技术

在众多下一代发光显示器设备中，量子点发光二极管(Quantum Dot LightEmitting Diodes,QLEDs)具有独特的优势，如色域宽、纯度高、亮度高、电压低、外观极薄等，因此具有极大的发展前景。QLED中的量子点因其容易受热量和水分影响的缺点，无法实现与自发光有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)相同的蒸镀方式，只能研发喷墨印刷制程。目前，QLED技术还处于起步阶段，存在可靠性低、效率低、溶液制程研发困难等制约因素。在对现有技术的研究中，本申请的发明人发现，利用电泳沉积量子点(Quantum Dot,QDs)制备发光层的方法，缺少对材料和工艺的有效设计，使得获得的QD膜的载流子迁移率较低，从而使得其发光效率较低。

发明内容

本申请实施例提供一种量子点器件的制作方法，可以提高量子点薄膜的发光效率和稳定性。

本申请实施例提供一种量子点器件的制作方法，包括：

提供一量子点溶液和一阵列基板，所述量子点溶液中包括量子点材料和溶剂，所述阵列基板包括像素电极；

在所述量子点溶液中浸入所述像素电极；

对所述量子点溶液施加第一电场；

所述第一电场驱动所述量子点材料运动并碰撞，使所述量子点材料的至少部分配体脱落以得到量子点颗粒；

对所述量子点溶液施加第二电场；

所述第二电场驱动所述量子点颗粒沉积至所述像素电极，在所述像素电极上形成量子点薄膜，以得到所述量子点器件。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点溶液中还浸入电场电极，所述对所述量子点溶液施加第一电场，包括：

对所述电场电极和所述像素电极通电；

所述电场电极与所述像素电极之间形成电压差，以对所述量子点溶液施加第一电场。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点溶液中还浸入电场电极，所述对所述量子点溶液施加第二电场，包括：

对所述电场电极和所述像素电极通电；

所述电场电极与所述像素电极之间形成电压差，以对所述量子点溶液施加第二电场。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述对所述电场电极和所述像素电极通电包括：

对所述电场电极和所述像素电极通交流电，或对所述电场电极和所述像素电极通直流电。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述交流电的频率为10Hz以上。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电场的电场强度为10V/μm以上，所述第二电场的电场强度为10V/μm以上。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点薄膜的厚度介于5nm至50nm之间。