[发明专利]一种量子点器件的制作方法有效
| 申请号： | 202110941251.X | 申请日： | 2021-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN113745440B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 赵金阳 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 量子 器件 制作方法 | ||
1.一种量子点器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一量子点溶液和一阵列基板，所述量子点溶液中包括量子点材料和溶剂，所述阵列基板包括像素电极；
在所述量子点溶液中浸入所述像素电极；
对所述量子点溶液施加第一电场；
所述第一电场驱动所述量子点材料运动并碰撞，使所述量子点材料的至少部分配体脱落以得到量子点颗粒；
对所述量子点溶液施加第二电场；
所述第二电场驱动所述量子点颗粒沉积至所述像素电极，在所述像素电极上形成量子点薄膜，以得到所述量子点器件。
2.根据权利要求1所述的量子点器件的制作方法，其特征在于，所述量子点溶液中还浸入电场电极，所述对所述量子点溶液施加第一电场，包括：
对所述电场电极和所述像素电极通电；
所述电场电极与所述像素电极之间形成电压差，以对所述量子点溶液施加第一电场。
3.根据权利要求1所述的量子点器件的制作方法，其特征在于，所述量子点溶液中还浸入电场电极，所述对所述量子点溶液施加第二电场，包括：
对所述电场电极和所述像素电极通电；
所述电场电极与所述像素电极之间形成电压差，以对所述量子点溶液施加第二电场。
4.根据权利要求2或3所述的量子点器件的制作方法，其特征在于，所述对所述电场电极和所述像素电极通电包括：
对所述电场电极和所述像素电极通交流电，或对所述电场电极和所述像素电极通直流电。
5.根据权利要求4所述的量子点器件的制作方法，其特征在于，所述交流电的频率为10Hz以上。
6.根据权利要求1所述的量子点器件的制作方法，其特征在于，所述第一电场的电场强度为10V/μm以上，所述第二电场的电场强度为10V/μm以上。
7.根据权利要求1所述的量子点器件的制作方法，其特征在于，所述量子点薄膜的厚度介于5nm至50nm之间。
8.根据权利要求1所述的量子点器件的制作方法，其特征在于，所述配体包括胺、酸、硫醇以及有机磷中一种或多种的组合。
9.根据权利要求1所述的量子点器件的制作方法，其特征在于，所述溶剂为沸点低于200℃的有机溶剂。
10.根据权利要求1所述的量子点器件的制作方法，其特征在于，所述量子点溶液的浓度介于1mg/mL至300mg/mL之间。
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