[发明专利]一种Ge长波红外太赫兹探测器阵列和制备方法

摘要

本发明公开了一种Ge长波红外太赫兹探测器阵列和制备方法，该探测器阵列包括吸收区阵列和共用电极二个部分，吸收区阵列像元由吸收层、石墨烯/金属电极层组成，共用电极由背接触电极和正面刻蚀重掺杂电极层组成，其中背接触电极表面覆盖钝化层，制备方法包括四个步骤，依次是通过光刻和气相沉积技术在Ge晶片正面形成吸收层和石墨烯层；通过光刻、刻蚀和离子注入技术形成正面刻蚀重掺杂电极层；通过光刻和热蒸发技术形成正面金属电极层；通过减薄、离子注入和气相沉积技术形成背接触电极和钝化层。本发明的优点是：离子注入技术形成吸收层解决了台阶型探测器像元高纯Ge外延层制备困难的难题，并且与当前的半导体工艺技术相兼容。