[发明专利]碳化硅的氧化方法及其应用在审
| 申请号： | 202110914005.5 | 申请日： | 2021-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN115705997A | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 张耀辉;张学渊 | 申请（专利权）人： | 苏州龙驰半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215009 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种碳化硅的氧化方法及其应用。所述碳化硅的氧化方法包括：使氧源气体与碳化硅材料在1000‑1400℃的温度条件下接触进行热氧化反应，从而在碳化硅材料表面形成预定厚度的氧化层，所述氧源气体包括氧气、含氧气体或水蒸气；以及，在所述的热氧化反应结束之后，将碳化硅材料快速降温至300℃以下。发明实施例提供的一种SiC的氧化方法采用快速升降温和低压氧化的方法，解决了SiC/SiO |
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| 搜索关键词： | 碳化硅 氧化 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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