[发明专利]C面GaN基板和氮化物半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110907715.5 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN113604885A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 三川丰;藤泽英夫;望月多惠;浪田秀郎;川端绅一郎 | 申请（专利权）人： | 三菱化学株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B7/10;C30B33/06;H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孟伟青;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及C面GaN基板和氮化物半导体器件的制造方法，提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的C面GaN基板。一种C面GaN基板，其特征在于，其为在至少一个主表面具有周期性地配置的两个以上的位错阵列、并且除了该两个以上的位错阵列外在该一个主表面不具有周期性地存在的位错群的基板，并且，该两个以上的位错阵列均来自在构成该基板的GaN结晶的生长时发生的聚结。氮化物半导体器件的制造方法包括：准备C面GaN基板的步骤；和在该准备出的C面GaN基板上使一种以上的氮化物半导体进行外延生长的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | gan 氮化物 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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