[发明专利]带有屏蔽栅结构MOSFET器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110897280.0 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113782585A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 颜树范;刘须电 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种带有屏蔽栅结构MOSFET器件及其制造方法。其中方法包括：刻蚀带有第一介质层的基底层，使得基底层中形成在纵向上延伸的沟槽；制作第二介质层，使得第二介质层至少覆盖在沟槽的表面；在得带有第二介质层的沟槽中填充有第一多晶硅，使得位于隔离区位置处的沟槽中形成沟槽屏蔽栅结构；进行第一光刻，刻蚀去除位于器件有源区位置处沟槽中的第一多晶硅上部；填充第三介质层，使得第三介质层至少填充满剩余第一多晶硅上方的沟槽空间；进行第二光刻，通过干法刻蚀去除有源区位置处沟槽中的介质层上部，形成控制栅容置空间；在控制栅容置空间中填充第二多晶硅；制作正面金属层和背面金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 屏蔽 结构 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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