[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202110893404.8 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN115706012A | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 陈琛 | 申请（专利权）人： | 中芯南方集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括基底、以及位于基底上相互分立的若干鳍部，所述基底表面具有隔离层；在所述隔离层上形成相互分立的若干栅结构，所述栅结构横跨所述鳍部，所述栅结构包括栅极和侧墙；在所述栅结构两侧的鳍部内形成源漏开口；所述侧墙表面附着缺陷种子，并且，在形成所述源漏开口后，采用选择性外延生长工艺，在所述缺陷种子表面形成牺牲膜，所述牺牲膜还位于所述缺陷种子表面和侧墙表面之间；采用预清洗工艺去除所述牺牲膜，以剥离所述缺陷种子；在所述预清洗工艺之后，在所述源漏开口内形成源漏结构，所述源漏结构的顶面高于或齐平于所述鳍部的顶面。所述方法形成的半导体结构的可靠性好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
