[发明专利]p型第III族氮化物半导体的制造方法在审
| 申请号： | 202110884946.9 | 申请日： | 2021-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN114122199A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 永田贤吾 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;李书慧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包含Al作为必需构成要素的p型第III族氮化物半导体的制造方法。使包含Al作为必需构成要素的p型第III族氮化物半导体的载流子浓度提高。通过MOCVD法在发光层(13)上形成由掺杂Mg的AlGaN构成的电子阻挡层(14)。这里，电子阻挡层(14)以p型化的热处理前的H浓度与Mg浓度之比H/Mg成为50～100％的方式形成。H/Mg可以通过电子阻挡层(14)的生长温度、V/III比、Mg浓度等来控制。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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