[发明专利]基板处理方法及基板处理装置在审
| 申请号： | 202110881844.1 | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN114068302A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 宫岛启介;真柄启二;片山贵志 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 王蕊;臧建明 |
| 地址： | 日本京都府京都市上京区堀*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基板处理方法及基板处理装置。基板处理方法包括步骤(S51)、步骤(S52)、及步骤(S6)。在步骤(S51)中，在将浸渍于冲洗液(71)中的基板(W)从冲洗液(71)中提起后，使表面张力小于冲洗液(71)的有机溶剂附着于基板(W)，并将基板(W)浸于贮存于腔室(51)内的槽(53)中的冲洗液(71)中。在步骤(S52)中，从冲洗液(71)中提起基板(W)。在步骤(S6)中，向所提起的基板(W)所存在的腔室(51)内供给表面张力小于冲洗液(71)的有机溶剂的蒸汽。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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