[发明专利]基板处理方法及基板处理装置在审
申请号: | 202110881844.1 | 申请日: | 2021-08-02 |
公开(公告)号: | CN114068302A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 宫岛启介;真柄启二;片山贵志 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 王蕊;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
本发明提供一种基板处理方法及基板处理装置。基板处理方法包括步骤(S51)、步骤(S52)、及步骤(S6)。在步骤(S51)中,在将浸渍于冲洗液(71)中的基板(W)从冲洗液(71)中提起后,使表面张力小于冲洗液(71)的有机溶剂附着于基板(W),并将基板(W)浸于贮存于腔室(51)内的槽(53)中的冲洗液(71)中。在步骤(S52)中,从冲洗液(71)中提起基板(W)。在步骤(S6)中,向所提起的基板(W)所存在的腔室(51)内供给表面张力小于冲洗液(71)的有机溶剂的蒸汽。
技术领域
本发明涉及一种基板处理方法及基板处理装置。
背景技术
专利文献1中所记载的基板处理装置在将基板浸渍于贮存有冲洗液的处理槽内而进行表面清洗后,将基板提起至置于异丙醇(isopropyl alcohol,IPA)等有机溶剂气体环境下的腔室内,将基板加以干燥(例如,专利文献1)。在所述情形时,通过将存在于构成基板表面的图案的结构物与结构物之间的冲洗液置换为表面张力小的有机溶剂,而抑制结构物的坍塌。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2007-12859号公报
发明内容
发明所要解决的问题
然而,近年来,基板表面的图案的微细化进一步发展。因此,存在难以将存在于基板表面的结构物与结构物之间的空间的冲洗液置换为有机溶剂的可能性。
本发明是鉴于所述课题而完成,其目的在于提供一种能够将存在于形成于基板表面的结构物与结构物之间的空间的冲洗液有效地置换为有机溶剂的基板处理方法及基板处理装置。
解决问题的技术手段
根据本发明的一方面,基板处理方法包括:将浸渍于冲洗液中的基板从所述冲洗液中提起后,使表面张力小于所述冲洗液的第一有机溶剂附着于所述基板,并且将所述基板浸于贮存于腔室内的槽中的冲洗液中的步骤;从所述冲洗液中提起所述基板的步骤;及向所述提起的基板所存在的所述腔室内供给表面张力小于所述冲洗液的第二有机溶剂的蒸汽的步骤。
本发明的基板处理方法优选为还包括在将所述基板浸于所述冲洗液中的所述步骤之前向所述腔室内供给所述第一有机溶剂的蒸汽的步骤。优选为在将所述基板浸于所述冲洗液中的所述步骤中,使所述基板下降,而将附着有所述第一有机溶剂的所述基板浸于所述冲洗液中。
在本发明的基板处理方法中,优选为在供给所述第一有机溶剂的蒸汽的所述步骤中,利用所述第一有机溶剂的蒸汽在所述冲洗液的液面形成所述第一有机溶剂的膜。
本发明的基板处理方法优选为还包括在将所述基板浸于所述冲洗液中的所述步骤之前,对贮存于所述槽中的所述冲洗液直接供给所述第一有机溶剂,由此在所述冲洗液的液面形成所述第一有机溶剂的膜的步骤。优选为在将所述基板浸于所述冲洗液中的所述步骤中,使所述基板下降,而将所述基板浸于形成了所述第一有机溶剂的膜的所述冲洗液中。
在本发明的基板处理方法中,优选为交替执行多次将所述基板浸于所述冲洗液中的所述步骤与提起所述基板的所述步骤。
在本发明的基板处理方法中,优选为在提起所述基板且为最后执行的所述步骤中,从所述冲洗液中提起所述基板时的所述基板的上升速度最小。
在本发明的基板处理方法中,优选为将所述基板浸于所述冲洗液中时的所述基板的下降速度大于从所述冲洗液中提起所述基板时的所述基板的上升速度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造