[发明专利]一种减少石墨包裹物的碳化硅晶体生长方法在审
| 申请号： | 202110880208.7 | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN113584592A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 姜俊婕 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明属于碳化硅晶体领域，公开了一种减少石墨包裹物的碳化硅晶体生长方法，所述方法包括以下步骤：(1)在石墨坩埚的粉料区与生长区之间增加多孔石墨制成的多孔石墨圆片；(2)将增加了多孔石墨圆片的石墨坩埚放入单晶生长炉内，抽真空真至1×10‑5‑6×10‑5torr，以1‑8℃/min的升温速率进行加热；(3)当温度升至1000‑1500℃后通入惰性气体，反应室内通入气态硅源SiH4；继续升温至1700‑2000℃；(4)将气压调整至1‑20torr，促使碳化硅晶体进行生长，长晶时长为30‑150小时；(5)以5‑15℃/min的降温速率对炉体进行降温，完成碳化硅晶体生长。本发明解决了晶体生长过程中存在石墨包裹物，影响晶体生长质量的问题，具备操作简单，晶体生长质量好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 石墨 包裹 碳化硅 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
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