[发明专利]后喷嘴单元及包括后喷嘴单元的基板处理装置在审
| 申请号： | 202110879710.6 | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN114695171A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 林俊铉;全伦奭;宋吉勋;姜准基 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 延美花;臧建明 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 基板处理装置可具有包括对基板执行所需工程的至少一个工程腔室的处理模块及将所述基板从外部移送到所述处理模块的转位模块。所述至少一个工程腔室可包括上部被放置基板的支撑单元及配置在所述基板的底面下方的后喷嘴单元。所述后喷嘴单元可包括裙座、向所述基板的底面上供应清洗液的至少一个后喷嘴及向所述基板的底面上供应气体的气体喷嘴。所述裙座可包括本体及形成于所述本体内且向所述基板的底面供应气体的多个第一流道及多个第二流道。 | ||
| 搜索关键词： | 喷嘴 单元 包括 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
