[发明专利]晶体管栅极结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110873984.4 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113690305A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 林士尧;陈振平;李筱雯;林志翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 杨佳婧 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及晶体管栅极结构及其形成方法。在一个实施例中，一种器件，包括：隔离区域；纳米结构，突出得高于隔离区域的顶表面；栅极结构，包裹在纳米结构的周围，该栅极结构具有与隔离区域接触的底表面，栅极结构的底表面延伸到远离纳米结构第一距离，该栅极结构具有被设置为距离纳米结构第二距离的侧壁，第一距离小于或等于第二距离；以及栅极结构的侧壁上的混合鳍。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 栅极 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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