[发明专利]半绝缘半导体迁移率磁阻效应测量方法及仪器在审
| 申请号： | 202110856258.1 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113484611A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王昕;叶灿明;王世进 | 申请（专利权）人： | 广州昆德半导体测试技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02 |
| 代理公司： | 广州汇盈知识产权代理事务所(普通合伙) 44603 | 代理人： | 许浩达 |
| 地址： | 510000 广东省广州市增城区新城*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半绝缘半导体迁移率磁阻效应测量方法，对装载被测样片的样品台及其上方悬挂的采样电极棒施加脉冲电压以形成两个电容，测量获得无磁场和施加磁场的两个电容的不同充电时间常数反映的磁阻变化参数，根据迁移率与磁阻效应关系式计算得出迁移率，将样品作为电容器的介质，当电容器上施加脉冲电压后，电容放电时间判断电介质的电阻率大小，同时利用在样品上施加磁场后，产生磁阻效应，增加了放电时间，据磁场施加前后的时间差可以计算出迁移率，特别是适用于测量高迁移率半绝缘半导体材料，实现了无接触式、无需对样品切割便能够实施测量工作，只要把测得的二个时间常数和磁场强度代入，即得到迁移率，测量工况友好易操作。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 半导体 迁移率 磁阻 效应 测量方法 仪器 | ||
【主权项】：
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