[发明专利]半绝缘半导体迁移率磁阻效应测量方法及仪器

权利要求书

1.一种半绝缘半导体迁移率磁阻效应测量方法，其特征在于：对装载被测样片的样品台及其上方悬挂的采样电极棒施加脉冲电压以形成两个电容，测量获得无磁场和施加磁场的两个电容的不同充电时间常数(τ(0)和τ(B))反映的磁阻变化参数，根据迁移率与磁阻效应关系式计算得出迁移率。

2.根据权利要求1所述的半绝缘半导体迁移率磁阻效应测量方法，其特征在于：所述电极棒端面与被测样品表面构成电容两极，且以空气作为介质形成空气电容(Ca)；所述被测样品的对称端面之间构成电容两极，且以样品自身为介质形成样品电容(Cs)。

3.根据权利要求1所述的半绝缘半导体迁移率磁阻效应测量方法，其特征在于：所述磁场由永久磁铁单体或组合体产生。

4.根据权利要求1所述的半绝缘半导体迁移率磁阻效应测量方法，其特征在于：所述采样电极棒的端面与被测样片的表面之间的距离为30-60μm。

5.一种半绝缘半导体迁移率磁阻效应测量仪器，包括样品台，其特征在于：所述样品台的上方设置探头，探头作垂直方向的直线式升降运动，探头装配有采样电极棒；

所述样品台与采样电极棒之间设置有可给被测样片施加磁场的磁铁，当处于加磁测量环境时，磁铁施加磁场给被测样片，当处于零磁测量环境时，磁铁远离被测样片；

所述采样电极棒的端面和被测样片形成电容的两极。

6.根据权利要求5所述的半绝缘半导体迁移率磁阻效应测量仪器，其特征在于：所述采样电极棒与被测样片之间构成两个电容，采样电极棒悬在样片上方，以空气作为介质形成空气电容(Ca)；

所述被测样片的对称表面之间构成电容两极，且以样品自身为介质形成样品电容(Cs)。

7.根据权利要求5所述的半绝缘半导体迁移率磁阻效应测量仪器，其特征在于：所述磁铁为永久磁铁单体或组合体。

8.根据权利要求5所述的半绝缘半导体迁移率磁阻效应测量仪器，其特征在于：所述磁铁设有能容纳采样电极棒的槽口。

9.根据权利要求5所述的半绝缘半导体迁移率磁阻效应测量仪器，其特征在于：所述采样电极棒插置于圆形的筒体中并自筒体穿出于外，筒体起屏蔽磁场的作用。