[发明专利]畴壁存储器的制备方法以及畴壁存储器在审
| 申请号： | 202110851591.3 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113659076A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 胡来归;蔡依辰;詹义强;秦亚杰 | 申请（专利权）人： | 光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;G11C11/22 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种有机铁电畴壁存储器的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上制作对置的金属梳状电极；对所述衬底表面进行亲疏水性处理；在所述衬底表面采用选区生长法形成分子铁电功能层；退火后获得畴壁存储器。上述技术方案实现了基于梳状对电极的多级长度沟道以及有机铁电层部分极化形成畴壁导电通道。利用低张力滴涂选区法，降低成本与复杂度的同时引导极化轴可控生长。与传统利用极化翻转与位移电流写入与读取的铁电存储器相比，具有非破坏性读取、电流信号大、寿命长等优势。本发明可用于新型存储阵列、柔性集成铁电芯片等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 制备 方法 以及 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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