[发明专利]畴壁存储器的制备方法以及畴壁存储器在审
| 申请号： | 202110851591.3 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113659076A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 胡来归;蔡依辰;詹义强;秦亚杰 | 申请（专利权）人： | 光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;G11C11/22 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 制备 方法 以及 | ||
1.一种有机铁电畴壁存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上制作对置的金属梳状电极；
对所述衬底表面进行亲疏水性处理；
在所述衬底表面采用选区生长法形成分子铁电功能层；
退火后获得畴壁存储器。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分子铁电功能层的材料是二异丙胺溴盐晶体。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的衬底选自于硅、氧化硅、玻璃、PI、PET或PDMS中的一种。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述梳状电极具有第一齿距和第二齿距。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述梳状电极为方形锯齿梳状对电极，两个电极的梳状齿正面相对排列，形成具有周期性宽窄变化的特征功能性沟道图案；图案化方法选自于光刻、激光直写、压印、以及电子束曝光中的一种。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述梳状电极制备工艺可以真空电阻热蒸发沉积、电子束沉积和磁控溅射中的一种。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述梳状电极厚度为50nm
-150nm，电极间距为1μm-30μm，矩形锯齿的周期为5μm-50μm，单个锯齿的边长为2μm-30μm。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述衬底表面进行亲疏水性处理的步骤中，对需要材料生长沟道区域进行亲水性处理，选用氧等离子清洗。对不需材料生长的电极表面进行疏水性处理，选硫醇处理、十八烷基三氯硅烷处理中的一种。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分子铁电功能层制备方法为表面张力诱导的电极间溶液法选区生长。
10.一种有机铁电畴壁存储器，其特征在于，包括：衬底；所述衬底表面的对置梳状电极；以及对置梳状电极之间的分子铁电功能层。
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