[发明专利]一种DDR SDRAM的自检方法在审
| 申请号： | 202110818325.0 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113628670A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 杨海涛;张伟彬;刘丽君 | 申请（专利权）人： | 北京自动化控制设备研究所 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44;G11C29/18;G11C29/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100074 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种DDRSDRAM的自检方法，所述方法包括：S10、写入0x5555AAAA；S20、回读并判断读取值与写入值是否相同，若是，转至S30，否则结束自检；S30、写入0xAAAA5555；S40、回读并判断读取值与写入值是否相同，若是，转至S50，否则结束自检；S50、判断S10至S40的循环次数是否达到预设次数，若是，转至S60，否则转至S10；S60、写入低16位与高16位为互补数的立即数；S70、回读并判断读取值与写入值是否相同，若是，转至S80，否则结束自检；S80、写入0xFFFF0000；S90、回读并判断读取值与写入值是否相同，若是，转至S100，否则结束自检；S100、写入0x0000FFFF；S110、回读并判断读取值与写入值是否相同，若是，判断自检正常，否则结束自检。本发明能解决现有自检方法故障覆盖率和测试效率均较低的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ddr sdram 自检 方法 | ||
【主权项】：
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