[发明专利]一种DDR SDRAM的自检方法

说明书

本发明提供了一种DDRSDRAM的自检方法，所述方法包括：S10、写入0x5555AAAA；S20、回读并判断读取值与写入值是否相同，若是，转至S30，否则结束自检；S30、写入0xAAAA5555；S40、回读并判断读取值与写入值是否相同，若是，转至S50，否则结束自检；S50、判断S10至S40的循环次数是否达到预设次数，若是，转至S60，否则转至S10；S60、写入低16位与高16位为互补数的立即数；S70、回读并判断读取值与写入值是否相同，若是，转至S80，否则结束自检；S80、写入0xFFFF0000；S90、回读并判断读取值与写入值是否相同，若是，转至S100，否则结束自检；S100、写入0x0000FFFF；S110、回读并判断读取值与写入值是否相同，若是，判断自检正常，否则结束自检。本发明能解决现有自检方法故障覆盖率和测试效率均较低的技术问题。

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种DDR SDRAM的自检方法。

背景技术

DDR SDRAM以其速度快、大容量、高性价比等一系列优点已成为目前外部存储器的主流。当前计算机对DDR SDRAM的需求越来越大。在使用DDR SDRAM前，必须对DDR SDRAM进行有效自检，传统的检测方法耗时较长，效率低，同时无法剔除器件的连接故障及器件本身的故障。

因此，提高自检的故障覆盖率和测试效率，是当前DDR SDRAM产品测试验证亟需解决的问题。

发明内容

本发明提供了一种DDR SDRAM的自检方法，能够解决现有的DDR SDRAM自检方法故障覆盖率和测试效率均较低的技术问题。

根据本发明的一方面，提供了一种DDR SDRAM的自检方法，所述方法包括：

S10、向DDR SDRAM地址写入立即数0x5555AAAA；

S20、回读，并判断读取值与写入值是否相同，若是，转至S30，否则，结束自检；

S30、向DDR SDRAM地址写入立即数0xAAAA5555；

S40、回读，并判断读取值与写入值是否相同，若是，转至S50，否则，结束自检；

S50、判断S10至S40的循环次数是否达到预设次数，若是，转至S60，否则，转至S10；

S60、向DDR SDRAM地址写入低16位与高16位为互补数的立即数；

S70、回读，并判断读取值与写入值是否相同，若是，转至S80，否则，结束自检；

S80、向DDR SDRAM地址写入立即数0xFFFF0000；

S90、回读，并判断读取值与写入值是否相同，若是，转至S100，否则，结束自检；

S100、向DDR SDRAM地址写入立即数0x0000FFFF；

S110、回读，并判断读取值与写入值是否相同，若是，判断DDR SDRAM自检正常，否则，结束自检。

优选的，在S50中，预设次数为4次。

优选的，在S60中，低16位与高16位为互补数的立即数为0xFFFE0001。

优选的，在S20中，在结束自检之前，置错误标志，报DDR SDRAM故障。

优选的，在S40中，在结束自检之前，置错误标志，报DDR SDRAM故障。

优选的，在S70中，在结束自检之前，置错误标志，报DDR SDRAM故障。

优选的，在S90中，在结束自检之前，置错误标志，报DDR SDRAM故障。