[发明专利]一种DDR SDRAM的自检方法在审
| 申请号： | 202110818325.0 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113628670A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 杨海涛;张伟彬;刘丽君 | 申请（专利权）人： | 北京自动化控制设备研究所 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44;G11C29/18;G11C29/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100074 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ddr sdram 自检 方法 | ||
1.一种DDR SDRAM的自检方法，其特征在于，所述方法包括：
S10、向DDR SDRAM地址写入立即数0x5555AAAA；
S20、回读，并判断读取值与写入值是否相同，若是，转至S30，否则，结束自检；
S30、向DDR SDRAM地址写入立即数0xAAAA5555；
S40、回读，并判断读取值与写入值是否相同，若是，转至S50，否则，结束自检；
S50、判断S10至S40的循环次数是否达到预设次数，若是，转至S60，否则，转至S10；
S60、向DDR SDRAM地址写入低16位与高16位为互补数的立即数；
S70、回读，并判断读取值与写入值是否相同，若是，转至S80，否则，结束自检；
S80、向DDR SDRAM地址写入立即数0xFFFF0000；
S90、回读，并判断读取值与写入值是否相同，若是，转至S100，否则，结束自检；
S100、向DDR SDRAM地址写入立即数0x0000FFFF；
S110、回读，并判断读取值与写入值是否相同，若是，判断DDR SDRAM自检正常，否则，结束自检。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在S50中，预设次数为4次。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在S60中，低16位与高16位为互补数的立即数为0xFFFE0001。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在S20中，在结束自检之前，置错误标志，报DDR SDRAM故障。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在S40中，在结束自检之前，置错误标志，报DDR SDRAM故障。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在S70中，在结束自检之前，置错误标志，报DDR SDRAM故障。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在S90中，在结束自检之前，置错误标志，报DDR SDRAM故障。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在S110中，在结束自检之前，置错误标志，报DDR SDRAM故障。
9.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至8任一所述方法。
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