[发明专利]基片处理装置和基片处理方法在审
申请号: | 202110812387.0 | 申请日: | 2021-07-19 |
公开(公告)号: | CN114068352A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 薮田贵士;中尾秀俊;笠原政俊;齐木大辅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306;B01D19/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理部、贮存部、处理线路、循环线路和气体供给线路。处理部用碱性的药液对形成于基片的多晶硅膜或非晶硅膜进行蚀刻。贮存部回收并贮存所述处理部使用了的药液。处理线路将贮存于所述贮存部中的药液供给到处理部。循环线路从贮存部取出药液,并使取出的药液返回到贮存部。气体供给线路与循环线路连接,向所述循环线路供给非活泼气体。循环线路包括排出口,该排出口能够将利用第1气体供给线路供给的非活泼气体与从贮存部取出的药液的混合流体排出到所述贮存部所贮存的药液的内部。由此,在回收碱性的药液进行再使用的情况下,能够使药液的溶解氧浓度高效地降低。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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