[发明专利]基片处理装置和基片处理方法

说明书

本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理部、贮存部、处理线路、循环线路和气体供给线路。处理部用碱性的药液对形成于基片的多晶硅膜或非晶硅膜进行蚀刻。贮存部回收并贮存所述处理部使用了的药液。处理线路将贮存于所述贮存部中的药液供给到处理部。循环线路从贮存部取出药液，并使取出的药液返回到贮存部。气体供给线路与循环线路连接，向所述循环线路供给非活泼气体。循环线路包括排出口，该排出口能够将利用第1气体供给线路供给的非活泼气体与从贮存部取出的药液的混合流体排出到所述贮存部所贮存的药液的内部。由此，在回收碱性的药液进行再使用的情况下，能够使药液的溶解氧浓度高效地降低。

技术领域

本公开涉及基片处理装置和基片处理方法。

背景技术

专利文献1所记载的基片处理方法，通过从药液喷嘴排出溶解了氧气的含TMAH(氢氧化四甲铵)药液，对形成于基片的多晶硅膜进行蚀刻。该基片处理方法使氧气溶解于含TMAH药液，来控制蚀刻速率。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-258391号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开的一个方式提供一种在回收碱性的药液进行再使用的情况下，使药液的溶解氧浓度高效地降低的技术。

用于解决问题的技术手段

本公开的一个方式的基片处理装置包括处理部、贮存部、处理线路、循环线路和气体供给线路。处理部用碱性的药液对形成于基片的多晶硅膜或非晶硅膜进行蚀刻。贮存部回收并贮存所述处理部所使用了的所述药液。处理线路将贮存于所述贮存部中的所述药液供给到所述处理部。循环线路从所述贮存部取出所述药液，并使取出了的所述药液返回到所述贮存部。气体供给线路与所述循环线路连接，向所述循环线路供给非活泼气体。所述循环线路包含排出口，所述排出口将利用所述第1气体供给线路供给的非活泼气体与从所述贮存部取出的所述药液的混合流体排出到所述贮存部所贮存的所述药液的内部。

发明的效果

根据本公开的一个方式，在回收碱性的药液进行再使用的情况下，能够使药液的溶解氧浓度高效地降低。

附图说明

图1是表示一个实施方式的基片处理装置的图。

图2是表示一个实施方式的处理部的图。

图3是表示一个实施方式的基片处理方法的流程图。

图4是表示与贮存部连接的容器的一例的截面图。

图5是表示各气体供给线路的流量的设定的一例的表。

附图标记说明

1基片处理装置

10处理部

20贮存部

30处理线路

40循环线路

40b排出口

50第1气体供给线路

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外，在各附图中，对相同或对应的结构标注相同的附图标记，有时省略说明。

如图1所示基片处理装置1包括处理部10。处理部10用碱性的药液对形成于基片的多晶硅膜进行蚀刻。另外，也可以代替多晶硅膜形成非晶硅膜，药液也可以对非晶硅膜进行蚀刻。