[发明专利]一种高密度静态随机存储器比特单元结构及其工艺方法

摘要

本发明公开了一种高密度静态随机存储器比特单元结构及其工艺方法，其可提高比特单元的高密度性能，降低功耗和成本，其包括衬底、分布于衬底表面的鳍片、分布于鳍片的栅极区、光刻胶层、接触层、读取比特线，比特单元包括鳍形场效应晶体管，栅极区长度为22nm，鳍片包括四根，且依次间隔平行分布，设相邻两根鳍片之间的鳍间距为FP、接触层间距为CPP，则比特单元有源区竖向总宽度为8*FP，有源区横向总宽度为2*CPP，比特单元有源区的最小面积为0.0739μm2，工艺方法包括：采用自对准双重图形转移工艺，获取包含有四根鳍片、且相邻两根鳍片之间的鳍间距为FP的比特单元，比特单元需要两个光刻胶层，采用光刻工艺，获取四根鳍片。