[发明专利]一种基于薄片碳化硅晶圆的器件制备方法在审
| 申请号： | 202110795616.2 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113517183A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 郑柳;刘敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/304;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 武悦 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于薄片碳化硅晶圆的器件制备方法，属于半导体微纳加工技术领域，用于解决薄片晶圆去应力的问题。制备方法包括：对设置有器件的晶圆进行减薄，得到薄片晶圆；利用激光对发生翘曲的薄片晶圆的减薄面进行加热；在加热后的薄片晶圆的减薄面沉积金属，得到金属层，所述金属层与所述薄片晶圆的减薄面形成欧姆接触；在所述金属层的表面上，再次沉积一层金属，形成焊接层。本发明提供的技术方案能在不损害薄片晶圆和薄片晶圆上器件的情况下，对薄片晶圆进行退火。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 薄片 碳化硅 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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