[发明专利]一种基于薄片碳化硅晶圆的器件制备方法

权利要求书

1.一种基于薄片碳化硅晶圆的器件制备方法，其特征在于，包括：

对设置有器件的晶圆进行减薄，得到薄片晶圆；

利用激光对发生翘曲的薄片晶圆的减薄面进行加热；

在加热后的薄片晶圆的减薄面沉积金属，得到金属层，所述金属层与所述薄片晶圆的减薄面形成欧姆接触；

在所述金属层的表面上，再沉积一层金属，形成焊接层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用激光对发生翘曲的薄片晶圆的减薄面进行加热，包括：

在真空环境下，将所述薄片晶圆的非减薄面固定在吸盘上；

对准所述晶圆的减薄面发射激光；

其中，所述非减薄面和所述减薄面互为所述晶圆的正反面。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述在真空环境下，将所述薄片晶圆的非减薄面固定在吸盘上之前，所述方法还包括：

在所述减薄面上镀光吸收层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述激光波长范围为(382nm，2000nm]。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

在所述在真空环境下，将所述薄片晶圆的非减薄面固定在吸盘上之后，所述方法还包括：

对准所述光吸收层发射激光。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

在所述对准所述光吸收层发射激光之后，所述方法还包括：

除去所述光吸收层。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述光吸收层的厚度[1nm，1000nm]。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述激光波长范围为[100nm，382nm]。

9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述激光的脉宽范围为[1ns，10ms]，能量密度的范围为[0.01J/cm²，100J/cm²]。

10.根据权利要求1至9所述的方法，其特征在于，

加热后，所述减薄面温度大于1000℃。