[发明专利]半导体工艺设备及刻蚀方法在审
| 申请号： | 202110795297.5 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113555268A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 林源为;袁仁志 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/305 | 分类号： | H01J37/305;H01J37/32;H01L21/3065;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体工艺设备及刻蚀方法，该半导体工艺设备包括工艺腔室、射频线圈结构和上射频源，其中，工艺腔室包括工艺腔体和介质腔体，介质腔体位于工艺腔体的上方，且介质腔体与工艺腔体密封连接；并且，介质腔体的顶部设置有进气口，用以向工艺腔室中通入工艺气体；介质腔体的内径由上而下递增；射频线圈结构环绕在介质腔体周围，并与上射频源电连接；射频线圈结构的内径由上而下递增。本发明提供的半导体工艺设备及刻蚀方法，可以在低腔室压力和低上电极功率的条件下，实现等离子体启辉。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺设备 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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