[发明专利]具有弯曲吸收区的雪崩光电二极管器件在审
| 申请号： | 202110785247.9 | 申请日： | 2021-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN113937183A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | A·斯里尼瓦桑;M·I·潘图瓦基;J·范卡姆潘豪特 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱盛赟;杨洁 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提出了一种雪崩光电二极管(APD)器件，具体而言，横向分离式吸收电荷倍增(SACM)APD器件，以及一种用于制造该APD器件的方法。该APD器件包括在半导体层中形成的第一接触区和第二接触区。此外，该APD器件包括形成在该半导体层上的吸收区，其中该吸收区至少部分地形成在该半导体层的第一区上，其中该第一区被布置在第一接触区和第二接触区之间。该APD器件进一步包括在该半导体层中被形成在第一区和第二接触区之间的电荷区，以及在该半导体层中被形成在该电荷区和第二接触区之间的放大区。至少该吸收区在该半导体层上是弯曲的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 弯曲 吸收 雪崩 光电二极管 器件 | ||
【主权项】：
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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