[发明专利]一种万瓦级GaN基固态功率源系统及其制造方法有效
| 申请号： | 202110781461.7 | 申请日： | 2021-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN113611695B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 郭怀新;陈堂胜;韩煦;姜文海 | 申请（专利权）人： | 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/473;H01L23/373;H01L23/367;H01L21/52 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市秦淮区永*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种万瓦级GaN基固态功率源系统及其制造方法，系统包括高效率GaN功放单元、微波信号控制单元、多层级散热单元和智能管控单元，所有单元集成在4U标准机柜内；所述高效率GaN功放单元实现万瓦级功率，微波信号控制单元实现稳定射频微波，多层级散热单元保证了系统的安全性，智能管控单元保证了系统运行稳定性和可调控性。本发明采用采用高效率GaN功放单元实现万瓦级功率源的高集成度和小尺寸，有效满足了单机柜的系统集成，同时采用多层级散热单元解决万瓦级功率产生的热可靠性隐患，有效保证了功率源系统性能的稳定性和系统安全性；相比传统的磁控管结构功率源系统，其尺寸更小、稳定性和可靠性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 万瓦级 gan 固态 功率 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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