[发明专利]JFET器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110775135.5 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113629152A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 韩天宇;许昭昭 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06;H01L21/337 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种JFET器件及其制作方法，涉及半导体制造领域。该JFET器件包括衬底；位于衬底上的外延层；位于外延层中的隔离结构、第一类阱、第二类阱、第一类掺杂区域、第二类掺杂区域，第一类掺杂区域位于第二类阱中且第一类掺杂区域靠近第二类阱的边缘，第二类掺杂区域位于第一类阱中且第二类掺杂区域靠近第二类阱的边缘；场板结构及第二类重掺杂区、第一类重掺杂区；位于第一类重掺杂区、第二类重掺杂区和场板结构顶部的金属电极；解决了目前BCD工艺平台中制作的JFET器件的电学参数不满足器件需求的问题；达到了优化BCD工艺平台制作的JFET器件的击穿电压和阈值电压，优化JFET器件性能的效果。 | ||
| 搜索关键词： | jfet 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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