[发明专利]反熔丝存储电路在审
| 申请号： | 202110773222.7 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115602235A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 季汝敏 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C7/12;G11C8/08 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种反熔丝存储电路，包括：存储阵列，包括多个反熔丝存储单元；位线，连接在位线的延伸方向上排列的反熔丝存储单元，反熔丝存储单元通过第一开关管电连接位线；字线，连接在字线的延伸方向上排列的第一开关管；第二开关管，用于使位线连接传输导线；读取模块，第一输入端连接传输导线，第二输入端用于接收参考电压，采样输入端用于接收采样信号；信号产生模块，用于根据预充电电压、预充电信号生成采样信号，其中，预充电信号用于指示对传输导线预充电至预充电电压，采样信号与预充电信号之间的延时长短与预充电电压的电压大小呈正相关，以保证预充电电压较大时，反熔丝存储单元有足够的时间泄放电流，保证读出数据的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 存储 电路 | ||
【主权项】：
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