[发明专利]用于半导体裸片边缘防护和半导体裸片分离的方法在审
| 申请号： | 202110766498.2 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113921467A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | B·P·沃兹;A·M·贝利斯 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/683;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请案涉及一种用于半导体裸片边缘防护及半导体裸片分离的方法。此外，经公开方法提供在不使用切割技术的情况下使所述半导体裸片分离。在一个实施例中，多个沟槽可形成于包含多个半导体裸片的衬底的前侧上。个别沟槽可对应于所述衬底的划线，其中每一沟槽包含大于所述半导体裸片的最终厚度的深度。在用粘合材料填充所述沟槽之前，介电层可形成于所述沟槽的侧壁上，进而保护所述半导体裸片的所述边缘。随后，可从后侧薄化所述衬底，使得可从所述后侧暴露所述沟槽中的所述粘合材料。可去除所述粘合材料，以分割来自所述衬底的所述多个半导体裸片中的个别半导体裸片。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 边缘 防护 分离 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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