[发明专利]用于半导体裸片边缘防护和半导体裸片分离的方法

权利要求书

1.一种方法，其包括：

在包含多个半导体裸片的衬底的前侧上形成多个沟槽，其中所述多个沟槽中的个别沟槽对应于所述衬底的划线；

用粘合材料填充所述多个沟槽中的每一个；

从所述衬底的后侧薄化所述衬底；及

去除所述粘合材料以分割所述多个半导体裸片中的个别半导体裸片。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述多个沟槽包含对所述衬底的所述前侧执行蚀刻工艺。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个沟槽中的每一沟槽包含大于经分割的个别半导体裸片的厚度的深度。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在用所述粘合材料填充所述多个沟槽中的每一个之前，在所述多个沟槽的侧壁上形成第一介电层。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在从所述后侧薄化所述衬底之前使用所述衬底的所述前侧上的所述粘合材料将载体衬底附接到所述衬底。

6.根据权利要求1所述的方法，其中从所述后侧薄化所述衬底包含从所述衬底的所述后侧暴露所述多个沟槽中的每一个中的所述粘合材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在从所述后侧薄化所述衬底之后，在所述衬底的所述后侧上形成第二介电层；及

去除所述第二介电层的至少一部分以暴露所述多个沟槽中的每一个中的所述粘合材料。

8.根据权利要求7所述的方法，其中去除所述第二介电层的至少所述部分还暴露所述多个半导体裸片的一或多个硅穿孔TSV。

9.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：

在去除所述粘合材料之前，将薄膜框架片附接到保持在所述衬底的所述后侧上的所述第二介电层。

10.一种方法，其包括：

在包含多个半导体裸片的半导体衬底的前侧上形成多个沟槽，所述多个沟槽中的每一沟槽具有大于个别半导体裸片的最终厚度的深度；

在所述多个沟槽的侧壁上形成第一介电层；

用涂布所述半导体衬底的所述前侧的粘合材料填充所述多个沟槽中的每一个；

将所述半导体衬底从所述半导体衬底的后侧薄化到所述最终厚度；及

去除所述粘合材料以分割所述个别半导体裸片。

11.根据权利要求10所述的方法，其中在所述侧壁上形成所述第一介电层进一步包括：

在所述半导体衬底的包含所述多个沟槽的所述前侧上形成所述第一介电层；

对所述半导体衬底的所述前侧执行蚀刻工艺，以从所述半导体衬底的所述前侧及从所述多个沟槽中的个别沟槽的底部去除所述第一介电层。

12.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：

在薄化所述半导体衬底之前使用所述半导体衬底的所述前侧上的所述粘合材料将载体衬底附接到所述半导体衬底。

13.根据权利要求10所述的方法，其中从所述后侧薄化所述半导体衬底进一步包括：

在不暴露所述沟槽中的所述粘合材料的情况下，使用第一工艺从所述后侧去除所述半导体衬底的第一部分；及

在去除所述第一部分之后，使用第二工艺从所述后侧去除所述半导体衬底的第二部分，以由于去除所述半导体衬底的所述第二部分而暴露所述沟槽中的所述粘合材料。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二工艺经配置成以第一去除速率来去除所述半导体衬底，且以小于所述第一去除速率的第二去除速率来去除所述粘合材料。

15.根据权利要求13所述的方法，其中在去除所述第二部分之后，所述半导体衬底的所述后侧相对于经暴露粘合材料凹陷。