[发明专利]存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202110757209.2 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN115589716A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 张魁 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高天华;张颖玲 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种存储器及其制造方法，所述存储器包括：衬底；所述衬底表面包括多个晶体管的晶体管阵列；所述晶体管的导电沟道在垂直于衬底表面的方向延伸；存储层；所述存储层位于每个所述晶体管的导电沟道的一侧，且与所述晶体管的导电沟道相连通，用于存储电荷以及与相连通的所述导电沟道进行电荷传递。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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