[发明专利]一种GPP硅片镀镍前的处理方法有效
| 申请号： | 202110754786.6 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN113506724B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 陈宏胤;杜凤 | 申请（专利权）人： | 扬州虹扬科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京文苑专利代理有限公司 11516 | 代理人： | 王炜 |
| 地址： | 225000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GPP硅片镀镍前处理方法，包括：取熔凝完的硅片在BOE缓冲溶液中处理6‑10min，流动水冲洗5～10min，在KOH溶液中处理10～30s，流动水冲洗1～3min，纯水静止超声13～17min，泡活化液15～20s。本发明将硅片表面进行腐蚀，使硅片表面形成金字塔形状，使镍和硅片能牢固的结合在一起，增加镍层的拉力和降低了产品的VF值，使得产品的品质、信赖性得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gpp 硅片 镀镍前 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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