[发明专利]一种GPP硅片镀镍前的处理方法有效
| 申请号： | 202110754786.6 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN113506724B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 陈宏胤;杜凤 | 申请（专利权）人： | 扬州虹扬科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京文苑专利代理有限公司 11516 | 代理人： | 王炜 |
| 地址： | 225000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gpp 硅片 镀镍前 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片镀镍前的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)取熔凝完的硅片，在BOE缓冲溶液中处理6-10min，然后流动水冲洗5～10min；所述BOE缓冲溶液由氢氟酸溶液、氟化铵体积比为(1～3):(5～7)组成，氢氟酸溶液的浓度为47～49％，BOE缓冲溶液温度为35～45℃；
(2)在氢氧化钾溶液中处理10～30s，流动水冲洗1～3min，然后采用超纯水超声13～17min；氢氧化钾级别为电子级，浓度为10～30vol％；
(3)将超声后的硅片放入活化液中浸泡15～20s；活化液溶液由氯化金酸、盐酸体积比为1～3:200～300组成，活化液温度为25～45℃，氯化金酸浓度为0.2～0.5％，盐酸浓度为16～18％。
2.根据权利要求1所述的一种硅片镀镍前的处理方法，其特征在于，所述步骤(1)和(2)中的流动水为超纯水。
3.根据权利要求1所述的一种硅片镀镍前的处理方法，其特征在于，所述步骤(2)中超声振动的振幅为15～25mV。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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