[发明专利]一种故障分析用的半导体试片的制备方法在审
| 申请号： | 202110748741.8 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN114520157A | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 柳纪纶;陈荣钦;张仕欣 | 申请（专利权）人： | 汎铨科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 胡少青;许媛媛 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种故障分析用的半导体试片的制备方法，藉由使用一种非挥发性、非液态且对介电材质具有较高黏着特性而对金属接触材料具有较低黏着特性的黏着材料所构成的黏着层，可大面积、高均匀度的选择性移除介电材料部分厚度，并完整保留金属接触材料，且不会与半导体样品产生化学反应或甚至破坏欲分析的结构，且可藉由选用不同的黏着层材料，控制与介电层的黏着度，进而可以控制移除介电层的厚度，故可提供一种适用于尺寸缩小化的故障分析用半导体试片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 故障 分析 半导体 试片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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