[发明专利]一种生长大面积金刚石单晶的方法有效
| 申请号： | 202110748010.3 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113529166B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 王启亮;李红东;邹广田;吕宪义;成绍恒;刘钧松;高楠;李柳暗 | 申请（专利权）人： | 吉林大学;吉林大学深圳研究院 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/04;B82Y40/00;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/35;C23C16/27;C23C16/511;C23C16/56;C23C28/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的一种生长大面积金刚石单晶的方法，属于大面积金刚石单晶制备技术领域。在清洗过的衬底表面先生长一层(100)取向金刚石织构层；对生长的(100)金刚石织构层进行抛光，用磁控溅射或者真空镀膜方法在抛光的金刚石织构层上沉积铱纳米膜，然后在沉积了铱纳米膜的金刚石织构层上继续生长，利用金刚石生长过程中的横向生长，得到金刚石单晶外延层。本发明提出了一种生长大面积金刚石单晶的新方法，解决了金刚石单晶生长面积小的问题，具有较高的发展前景跟经济价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 大面积 金刚石 方法 | ||
【主权项】：
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