[发明专利]一种肖特基二极管的制作方法在审
| 申请号： | 202110743609.8 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113658860A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;张琦 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，更具体地，涉及一种肖特基二极管的制作方法。在p型区之间的肖特基接触区域引入介质层，形成MIS结构，在正向偏压下，肖特基结率先导通，同时相较于传统结势垒肖特基二极管，MIS结构耗尽区更窄，因此本发明器件具有更大的有效导通面积，能够降低器件的导通电阻，进而降低导通损耗；而在反向偏压下，MIS结构能够降低肖特基结由于势垒降低效应和隧穿效应等因素而产生的漏电流，从而提高了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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