[发明专利]一种肖特基二极管的制作方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.通过MOCVD在n型导电衬底(1)上外延生长器件漂移区(2)；

S2.通过ICP刻蚀台面进行器件隔离；

S3.在器件漂移区(2)上沉积掩膜层(3)SiO₂，去除器件需形成p型区域(4)位置处的SiO₂掩膜层(3)；

S4.采用离子注入方法注入p型掺杂剂，完成后使用缓冲氢氟酸溶液去除SiO₂掩膜层(3)，通过退火工艺激活掺杂，形成p型区域(4)；

S5.通过光刻显影技术露出需要形成介质层(5)区域，对n型器件漂移区(2)进行刻蚀，刻蚀完毕后再生长介质层(5)，再通过光刻显影技术露出需要去除的介质层(5)区域，并使用缓冲氢氟酸溶液去除介质层(5)；

S6.在衬底(1)上采用电子束蒸发法或磁控溅射法蒸镀Ti/Al/Ni/Au形成欧姆接触电极作为二极管阴极(6)；

S7.采用电子束蒸发法或磁控溅射法在器件的正面蒸镀Ni/Au形成肖特基电极，采用剥离的方法选择性留下电极，作为二极管阳极(7)。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述的步骤S2具体包括：

S21.在器件漂移区(2)上涂覆光刻胶，通过光刻显影技术确定台面刻蚀区域；

S22.通过ICP刻蚀未被光刻胶覆盖的区域深0.2μm～10μm。

3.根据权利要求1所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述的步骤S3具体包括：

S31.在SiO₂掩膜层(3)上涂覆光刻胶，通过光刻显影技术露出需要形成p型区域(4)的窗口；

S32.使用缓冲氢氟酸溶液去除未被光刻胶覆盖的SiO₂掩膜层(3)。

4.根据权利要求1所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述的步骤S5具体包括：

S511.在步骤S4形成的器件上涂覆光刻胶，通过光刻显影技术打开需要形成介质层(5)区域的窗口；

S512.通过ICP对n型漂移区进行刻蚀，刻蚀完毕后去除光刻胶；

S513.在步骤S512形成器件上生长介质层(5)，填充凹槽；

S514.涂覆光刻胶，通过光刻显影技术露出需要去除介质层(5)的区域；

S515.使用缓冲氢氟酸溶液去除未被光刻胶覆盖的介质层(5)。

5.根据权利要求4所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，在所述的步骤S5中不去除台面区域的介质层(5)，以形成场板结构。

6.根据权利要求5所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，在所述的步骤S5中不进行ICP刻蚀凹槽，直接生长介质层(5)，再通过光刻显影技术露出需要去除的介质层(5)区域，并使用缓冲氢氟酸容易去除。

7.根据权利要求1至6任一项所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述的衬底(1)、器件漂移区(2)、p型区域(4)的材料相同，均为Si、SiC、或GaN；所述的介质层(5)的材料为为Al₂O₃、SiN、SiO₂、HfO₂中的任一种，厚度为10nm～500nm。

8.根据权利要求7所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述的衬底(1)为n型导电衬底(1)，衬底(1)电阻率范围为0.005Ω·cm～0.1Ω·cm，厚度为100μm～500μm；所述的p型区域(4)，空穴浓度为1×10¹⁶cm^-3～1×10¹⁹cm^-3，厚度为0.1μm～20μm。