[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110740632.1 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115548119A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 方冬;肖魁 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 熊文杰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体器件及其制备方法，其中半导体器件包括漂移区、体区、源区、槽栅结构、栅极沟槽及漏区，漂移区具有第一导电类型，体区具有第二导电类型，源区位于体区的上表层，漏区位于漂移区的下表面，两个体区之间的漂移区中开设有栅极沟槽，栅极沟槽的槽口位于漂移区的上表面，槽栅结构容置在栅极沟槽中并延伸覆盖至体区的上表面，槽栅结构还延伸覆盖至源区的上表面。其中，槽栅结构容置楔入漂移区中可以增加漂移区的掺杂浓度，起到部分场板的作用，能够实现在增加漂移区的掺杂浓度后，在保持漂移区耐压的基础上降低导通电阻、降低栅源电容及降低栅氧的电场，提高半导体器件的性能；同时在不影响电流传输的基础上提高面积的有效利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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