[发明专利]存储阵列、存储阵列的制备方法、相变存储器和存储芯片

摘要

本申请适用于半导体技术领域，提供了一种存储阵列、存储阵列的制备方法、相变存储器和存储芯片，所述存储阵列包括：衬底材料，以及排布在所述衬底材料上的多个相变存储单元，多个所述相变存储单元中的每个所述相变存储单元均包括相变材料；多个所述相变存储单元中，任意两个相邻相变存储单元的相变材料的高度不同，所述相变材料的高度指所述相变材料与所述衬底材料之间的距离。通过调整相变存储单元中相变材料的高度，使得任意两个相邻的相变存储单元的相变材料之间位于不同的高度，从而可以增加相邻的相变材料之间的距离，进而可以显著降低相邻的两个相变材料之间的热串扰现象，提高各个相变存储单元的抗干扰能力。