[发明专利]存储阵列、存储阵列的制备方法、相变存储器和存储芯片

权利要求书

1.一种存储阵列，其特征在于，所述存储阵列包括：

衬底材料，以及排布在所述衬底材料上的多个相变存储单元，多个所述相变存储单元中的每个所述相变存储单元均包括相变材料；

多个所述相变存储单元中，任意两个相邻相变存储单元的相变材料的高度不同，所述相变材料的高度指所述相变材料与所述衬底材料之间的距离。

2.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述任意两个相邻相变存储单元包括第一相变存储单元和第二相变存储单元；

所述第一相变存储单元和所述第二相变存储单元均包括：依次设置于所述衬底材料上的底电极、所述相变材料和顶电极，所述第二相变存储单元还包括：高度调整材料，所述高度调整材料位于所述底电极和所述相变材料之间，所述高度调整材料包括：加热电极、选通材料和缓冲材料中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的存储阵列，其特征在于，所述第一相变存储单元的所述底电极和所述相变材料之间设置有选通材料。

4.根据权利要求2或3所述的存储阵列，其特征在于，所述第一相变存储单元中任意相邻的两层材料之间设置有缓冲材料。

5.根据权利要求2至4任一所述的存储阵列，其特征在于，所述高度调整材料位于所述底电极和所述相变材料之间，具体包括：

所述加热电极位于所述第二相变存储单元的所述底电极和所述选通材料之间，所述选通材料位于所述加热电极和所述第二相变存储单元的所述相变材料之间；

所述加热电极和所述选通材料之间设置有所述缓冲材料，所述选通材料和所述第二相变存储单元的所述相变材料之间设置有所述缓冲材料。

6.根据权利要求2至5任一所述的存储阵列，其特征在于，所述第二相变存储单元的所述相变材料和所述第二相变存储单元的所述顶电极之间设置有所述缓冲材料。

7.根据权利要求1至6任一所述的存储阵列，其特征在于，所述存储阵列还包括：隔热材料，每个所述相变存储单元的侧面均覆盖有所述隔热材料。

8.根据权利要求2至7任一所述的存储阵列，其特征在于，所述任意两个相邻相变存储单元包括第一相变存储单元和第二相变存储单元；

所述第一相变存储单元和所述第二相变存储单元分别在第一方向上和第二方向上交替排布，所述第一方向与所述第二方向相交；

在所述第一方向上相邻的所述第一相变存储单元的底电极和所述第二相变存储单元的底电极相连通，在所述第二方向上相邻的所述第一相变存储单元的顶电极和所述第二相变存储单元的顶电极相连通，所述第一方向与所述第二方向垂直。

9.一种存储阵列的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底材料上形成绝缘材料，并在所述绝缘材料上形成底电极；

在所述底电极上沉积金属，并依次用光刻和刻蚀的方法形成加热电极；

进行多层膜沉积，从下到上依次包括：缓冲材料、选通材料、所述缓冲材料、相变材料和所述缓冲材料；

对多层膜沉积的各层材料依次采用光刻和刻蚀的工艺，并在所述相变材料上方的缓冲材料的上表面生成顶电极，形成多个相变存储单元，其中，所述多个相变存储单元中,任意两个相邻相变存储单元的相变材料层的高度不同，所述相变材料层的高度指所述相变材料层与所述衬底材料之间的距离。

10.根据权利要求9所述的存储阵列的制备方法，其特征在于，在所述相变材料上方的缓冲材料的上表面生成顶电极之前，所述方法还包括：

在各个不包括所述顶电极的相变存储单元周围包裹隔热材料；

在所述相变材料上方的缓冲材料的上表面生成顶电极之后，所述方法还包括：

在各个所述相变存储单元之间填充所述绝缘材料。

11.根据权利要求10所述的存储阵列的制备方法，其特征在于，所述加热电极的横截面的截面形状的面积，大于所述相变存储单元中所述相变材料的横截面的截面形状的面积。