[发明专利]半导体结构及高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 202110730091.4 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN115548087A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 陈志谚;钒达·卢 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 刘莉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构，包含超晶格结构、电隔离层、通道层及组成渐变层。超晶格结构设置于基底上，电隔离层设置于超晶格结构上，通道层设置于电隔离层上，以及组成渐变层设置于电隔离层与超晶格结构之间，其中组成渐变层与超晶格结构包含一相同的第三族元素，且在组成渐变层中的该相同的第三族元素的原子百分比从超晶格结构到电隔离层的方向上逐渐减少。此外，还提供包含此半导体结构的高电子迁移率晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
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